2.请问电子元器件能存放多久？
3.cmos工艺流程
4.晶圆是什么东西？
5.晶圆制造
6.清洗后IC脚发黑，导致这种情况的原因有哪些？
总是出现无法识别AD卡现象
“无法识别”：没插卡、机卡不对应、卡的IC芯片氧化、卡装反或卡损坏。氧化解决：打开机器正面小门，即可见卡，在“断电”的情况下，取出卡，用干毛巾反复擦拭IC处，然后再将IC面朝下并朝前再插入卡槽内，开机即可。
请问电子元器件能存放多久？
跟温度，湿度和包装的密封性都有关系。其中，湿度和密封性主要影响可焊性。
表面氧化对插座和开关等机械接触的器件影响非常大，尤其是带金手指的高频插座。对于其他直插件影响要小些，这类器件要氧化的相当严重才会影响焊接。对应贴片件而言，引脚越小，表面氧化的影响越大。IC引脚氧化可以用清洗剂清洗或者手工补焊，但是这种处理很繁琐，工艺性比较差。BGA如果焊点氧化，有可能会需要重新植球。
民用级一般是3到5年，这个时间是指其可以可靠使用的时间。
电阻和陶瓷电容放的久些。
集成度高的IC，放的要短些，因为集成度越高，原子的热运动对特性的影响越大，时间久了热扩散会破坏IC的内部结构。
电解电容放的时间也比较短，时间久了电解液会干掉。
cmos工艺流程
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工艺是一种常见的半导体制造工艺，用于制造集成电路（IC）。以下是CMOS工艺的基本步骤：
1. 晶片准备：开始时，需要准备晶片的硅片（wafer）。这些硅片在后续步骤中会被用来制造电子元件。
2. 清洁和清洗：硅片需要经过严格的清洁和清洗过程，以去除表面的杂质和污染物。
3. 氧化：硅片在高温下暴露在氧气环境中，以形成氧化硅层。这个层通常用作绝缘层。
4. 沉积：在硅片上沉积不同材料的薄膜层，包括多晶硅、金属（通常铝或铜）、以及绝缘层材料。
5. 光刻：利用光刻技术，通过掩膜和紫外光曝光，定义电路的结构和互连。
6. 刻蚀：使用化学或等离子体刻蚀来去除不需要的材料，揭示出所需的电路结构。
7. 离子注入：这一步通常用于形成MOSFET晶体管的源极和漏极区域。离子注入可以改变硅片中的杂质浓度。
8. 退火：在高温下，硅片进行退火，以去除应力和提高电子元件的性能。
9. 金属化：使用金属层连接晶体管、电容器和其他电子元件，形成电路的互连。
. 封装：完成芯片后，它会被封装在塑料或陶瓷封装中，以便连接到电路板或其他设备中。
. 测试：最后，芯片会经过测试，以确保其功能正常。
这只是CMOS工艺的基本步骤，实际制造过程可能会更加复杂，具体取决于所需的电路和应用。这些步骤是一个概述，用来说明CMOS工艺的主要过程。在实际制造中，每个步骤都有详细的工程和技术要求。
晶圆是什么东西？
晶圆是生产集成电路所用的载体。晶圆（英语：Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，是生产集成电路（integrated circuit，IC）所用的载体。而我们现实中比较常见到的硅晶片就要数电脑CPU和手机芯片。
在半导体行业，尤其是集成电路领域，晶圆的身影随处可见。晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片，而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件构，使之成为有特定电性功能的IC产品。
晶圆制造工艺：
表面清洗：晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
初次氧化：由热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术。
热CVD：此方法生产性高，梯状敷层性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜）等，故用途极广。
以上内容参考：百度百科-晶圆
晶圆制造
晶圆（WAFER）：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、英寸等规格，近来已经发展出英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产同规格的IC就多，可有效降低IC成本。
半导体晶圆制造的基本原理，主要是将经过精密设计的电路，藉由光罩逐层（Layer by Layer）的转移至矽晶圆上，以制造出所需的IC产品。主要的加工步骤包括化学清洗（Chemical clean）、氧化∕薄膜沈积(Oxidation∕Metal deposition)、光罩投影(Photolithography)、蚀刻(Etching)、离子植入（Ion implant）、扩散(Diffuse)、光阻去除、检验与量测等[]，总加工步骤随著历年曝光方式的改变及线路线宽的减少而与日遽增。以动态随机存取记忆体（DRAM）为例，制作过程非常困难且繁复，如将量测与检验等步骤纳入考量，总制程步骤已超过五百道以上。
晶圆制造的基本流程，是将矽晶圆投入制程中，经过化学清洗、氧化∕薄膜沈积等程序后，会於矽晶圆表面形成一层矽氧化膜，此薄膜经过上光阻液、并配合光罩於黄光区进行曝光、显影，就可将光罩上的电路图移转至矽晶圆上。经过特殊光线照射后的光阻液会产生变化，使得此部份的光阻液可利用化学药品或腐蚀性气体去除而露出矽氧化膜，此为蚀刻（Etching）过程。露出的矽氧化膜经离子植入制程，於晶圆表面植入硼、砷和磷等离子，以形成半导体电子元件。接下来以金属贱镀的方式，於晶圆表面贱镀能够导电的金属层，以连接电子元件，并以表面绝缘保护，就可完成其中一个层（Layer）的制造。如此一层一层的层叠架构，就可将电路图完全的移转至矽晶圆上，完成所制造的IC产品，不同功能的IC产品所需的层数也不相同，视其复杂度而定。以下便针对上述几个单元制作略述其制造、生产特性以及所使用的设备。
清洗后IC脚发黑，导致这种情况的原因有哪些？
清洗后IC脚发黑
导致这种情况的原因可能：
1. 脱锡助焊剂含过量卤素
2. 锡膏产生腐蚀，造成引脚氧化
解决办法：
1. 使用无卤素或专用助焊剂脱IC锡
2. 更滑低腐蚀性锡膏
